晶片，是LED的核心部件。現(xiàn)時(shí)國(guó)內(nèi)外有很多LED晶片廠家，然晶片分類沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分；若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種；若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種；若按電壓分類，則分為低壓直流晶片和高壓直流晶片。國(guó)內(nèi)外晶片科技對(duì)比方面，國(guó)外晶片科技新，國(guó)內(nèi)晶片重產(chǎn)量不重科技。
襯底資料和晶圓生長(zhǎng)科技成關(guān)鍵
現(xiàn)時(shí)，LED晶片科技的發(fā)展關(guān)鍵在於襯底資料和晶圓生長(zhǎng)科技。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、矽（Si）、碳化矽（SiC）襯底資料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED晶片研究的焦點(diǎn)。現(xiàn)時(shí)，市面上大多採(cǎi)用藍(lán)寶石或碳化矽襯底來(lái)外延生長(zhǎng)寬帶隙電晶體氮化鎵，這兩種資料價(jià)格都非常昂貴，且都為國(guó)外大企業(yè)所壟斷，而矽襯底的價(jià)格比藍(lán)寶石和碳化矽襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高M(jìn)OCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。所以，為突破國(guó)際專利壁壘，中國(guó)研究機(jī)構(gòu)和LED企業(yè)從矽襯底資料著手研究。
但問(wèn)題是，矽與氮化鎵的高品質(zhì)結(jié)合是LED晶片的科技難點(diǎn)，兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹係數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等科技問(wèn)題長(zhǎng)期以來(lái)阻礙著晶片領(lǐng)域的發(fā)展。
無(wú)疑，從襯底角度看，主流襯底依然是藍(lán)寶石和碳化矽，但矽已經(jīng)成為晶片領(lǐng)域今後的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)於價(jià)格戰(zhàn)相對(duì)嚴(yán)重的中國(guó)來(lái)說(shuō)，矽襯底更有成本和價(jià)格優(yōu)勢(shì)：矽襯底是導(dǎo)電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對(duì)氮化鎵外延層的幹法腐蝕步驟，加之，矽的硬度比藍(lán)寶石和碳化矽低，在加工方面也可以節(jié)省一些成本。
現(xiàn)時(shí)LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能採(cǎi)用矽基氮化鎵科技，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì)，使用矽襯底製作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的製造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化矽襯底低90%。
國(guó)內(nèi)外晶片科技差異大
在國(guó)外，歐司朗、美國(guó)普瑞、日本三墾等一流企業(yè)已經(jīng)在大尺寸矽襯底氮化鎵基LED研究上取得突破，飛利浦、韓國(guó)三星、LG、日本東芝等國(guó)際LED巨頭也掀起了一股矽襯底上氮化鎵基LED的研究熱潮。其中，在2011年，美國(guó)普瑞在8英寸矽襯底上研發(fā)出高光效氮化鎵基LED，取得了與藍(lán)寶石及碳化矽襯底上頂尖水準(zhǔn)的LED器件效能相媲美的發(fā)光效率160lm/W；在2012年，歐司朗成功生產(chǎn)出6英寸矽襯底氮化鎵基LED。
反觀中國(guó)內(nèi)地，LED晶片企業(yè)科技的突破點(diǎn)主要還是提高產(chǎn)能和大尺寸藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)科技，除了晶能光電在2011年成功實(shí)現(xiàn)2英寸矽襯底氮化鎵基大功率LED晶片的量產(chǎn)外，中國(guó)晶片企業(yè)在矽襯底氮化鎵基LED研究上無(wú)大的突破，現(xiàn)時(shí)中國(guó)內(nèi)地LED晶片企業(yè)還是主攻產(chǎn)能、藍(lán)寶石襯底資料及晶圓生長(zhǎng)科技，三安光電、德豪潤(rùn)達(dá)、同方股份等內(nèi)地晶片巨頭也大多在產(chǎn)能上取得突破。