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LED晶片科技及國(guó)內(nèi)外差異分析

作者: 來(lái)源: 日期:2024/11/19 14:54:07 人氣:322
晶片,是LED的核心部件。現(xiàn)時(shí)國(guó)內(nèi)外有很多LED晶片廠家,然晶片分類沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),若按功率分類,則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類,則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種;若按形狀分類,一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類,則分為低壓直流晶片和高壓直流晶片。國(guó)內(nèi)外晶片科技對(duì)比方面,國(guó)外晶片科技新,國(guó)內(nèi)晶片重產(chǎn)量不重科技。
襯底資料和晶圓生長(zhǎng)科技成關(guān)鍵
現(xiàn)時(shí),LED晶片科技的發(fā)展關(guān)鍵在於襯底資料和晶圓生長(zhǎng)科技。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、矽(Si)、碳化矽(SiC)襯底資料以外,氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED晶片研究的焦點(diǎn)。現(xiàn)時(shí),市面上大多採(cǎi)用藍(lán)寶石或碳化矽襯底來(lái)外延生長(zhǎng)寬帶隙電晶體氮化鎵,這兩種資料價(jià)格都非常昂貴,且都為國(guó)外大企業(yè)所壟斷,而矽襯底的價(jià)格比藍(lán)寶石和碳化矽襯底便宜得多,可制作出尺寸更大的襯底,提高M(jìn)OCVD的利用率,從而提高管芯產(chǎn)率。所以,為突破國(guó)際專利壁壘,中國(guó)研究機(jī)構(gòu)和LED企業(yè)從矽襯底資料著手研究。
但問(wèn)題是,矽與氮化鎵的高品質(zhì)結(jié)合是LED晶片的科技難點(diǎn),兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹係數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等科技問(wèn)題長(zhǎng)期以來(lái)阻礙著晶片領(lǐng)域的發(fā)展。
無(wú)疑,從襯底角度看,主流襯底依然是藍(lán)寶石和碳化矽,但矽已經(jīng)成為晶片領(lǐng)域今後的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)於價(jià)格戰(zhàn)相對(duì)嚴(yán)重的中國(guó)來(lái)說(shuō),矽襯底更有成本和價(jià)格優(yōu)勢(shì):矽襯底是導(dǎo)電襯底,不但可以減少管芯面積,還可以省去對(duì)氮化鎵外延層的幹法腐蝕步驟,加之,矽的硬度比藍(lán)寶石和碳化矽低,在加工方面也可以節(jié)省一些成本。
現(xiàn)時(shí)LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主,如能採(cǎi)用矽基氮化鎵科技,至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì),使用矽襯底製作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的製造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化矽襯底低90%。
國(guó)內(nèi)外晶片科技差異大
在國(guó)外,歐司朗、美國(guó)普瑞、日本三墾等一流企業(yè)已經(jīng)在大尺寸矽襯底氮化鎵基LED研究上取得突破,飛利浦、韓國(guó)三星、LG、日本東芝等國(guó)際LED巨頭也掀起了一股矽襯底上氮化鎵基LED的研究熱潮。其中,在2011年,美國(guó)普瑞在8英寸矽襯底上研發(fā)出高光效氮化鎵基LED,取得了與藍(lán)寶石及碳化矽襯底上頂尖水準(zhǔn)的LED器件效能相媲美的發(fā)光效率160lm/W;在2012年,歐司朗成功生產(chǎn)出6英寸矽襯底氮化鎵基LED。
反觀中國(guó)內(nèi)地,LED晶片企業(yè)科技的突破點(diǎn)主要還是提高產(chǎn)能和大尺寸藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)科技,除了晶能光電在2011年成功實(shí)現(xiàn)2英寸矽襯底氮化鎵基大功率LED晶片的量產(chǎn)外,中國(guó)晶片企業(yè)在矽襯底氮化鎵基LED研究上無(wú)大的突破,現(xiàn)時(shí)中國(guó)內(nèi)地LED晶片企業(yè)還是主攻產(chǎn)能、藍(lán)寶石襯底資料及晶圓生長(zhǎng)科技,三安光電、德豪潤(rùn)達(dá)、同方股份等內(nèi)地晶片巨頭也大多在產(chǎn)能上取得突破。
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